半導體封裝材料高電氣絕緣材料高壓TSDC測試系統(tǒng)的產(chǎn)品原理

TSDC是一種研究電荷存儲特性的實驗技術(shù)，用于確定初始電荷和捕獲電荷的活化能以及弛豫，該方法包括一個極化過程，其中介電樣品在高溫下暴露于高電場強度下。在此之后，試樣在外加電場的作用下迅速進行冷卻。以這種方式，電荷被分離并固定在介電材料駐極體內(nèi)。然后進行升溫將駐極體內(nèi)的電荷進行釋放，同時配合測量儀器進行測量，并為科研人員進行分析。通過TSDC測試方法研究了EMC對功率半導體HTRB可靠性的影響，了解到EMC在高溫、高壓條件下會發(fā)生電極化或電取向。此外，依賴于在相應(yīng)的冷卻環(huán)境中維持其極化狀態(tài)，它會干擾MOS-FET半導體中反轉(zhuǎn)層的正常形成。通過TSDC試驗，我們還了解了在可靠性測試中由于應(yīng)用條件而導致的材料內(nèi)部極化電荷的數(shù)量也是一個重要的影響因素。

HC-TSC熱激勵去極化電流測量系統(tǒng)應(yīng)用：廣泛應(yīng)用于電力、絕緣、生物分子等材料領(lǐng)域，用于研究材料性能的一些關(guān)鍵因素，諸如分子弛豫、相轉(zhuǎn)變、玻璃化溫度等等，通過TSDC電流也可以比較直觀的研究材料的弛豫時間、活化能等相關(guān)的介電特性。TSDC電流也可以比較直觀的研究材料的弛豫時間、活化能等相關(guān)的介電特性。